Disco duro interno solido ssd samsung mz - vap8t0bw 9100 pro ssd 8tb pcie 5.0 14800 mb - s
Datos del producto
Descripción
Características del Disco Duro Interno Sólido SSD Samsung MZ-VAP8T0BW 9100 PRO SSD 8TB
El Samsung 9100 PRO SSD de 8 TB está diseñado para usuarios que necesitan un almacenamiento interno de alto rendimiento, especialmente en equipos avanzados, estaciones de trabajo o configuraciones orientadas a tareas exigentes. Gracias a su interfaz PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0, ofrece velocidades muy elevadas para carga de archivos, transferencia de datos y trabajo intensivo.
Rendimiento extremo con PCIe 5.0
Este SSD aprovecha la tecnología PCIe Gen 5.0 x4 para alcanzar velocidades secuenciales de hasta 14.800 MB/s en lectura y 13.400 MB/s en escritura, ofreciendo una respuesta rápida en cargas pesadas, proyectos grandes y uso profesional.
Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s
Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
Interfaz PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Alta capacidad para archivos y proyectos exigentes
Con una capacidad de 8 TB, este disco SSD permite almacenar grandes volúmenes de datos, juegos, aplicaciones, proyectos creativos y archivos profesionales sin depender constantemente de unidades externas.
Capacidad total: 8 TB
Formato M.2 2280
Diseñado para almacenamiento interno de alto rendimiento
Respuesta rápida en lectura y escritura aleatoria
Su rendimiento en operaciones aleatorias permite una experiencia más fluida al trabajar con múltiples archivos, aplicaciones exigentes o procesos simultáneos. Alcanza hasta 2.200.000 IOPS en lectura aleatoria y hasta 2.600.000 IOPS en escritura aleatoria.
Lectura aleatoria 4KB QD32: hasta 2.200.000 IOPS
Escritura aleatoria 4KB QD32: hasta 2.600.000 IOPS
Optimizado para tareas intensivas y acceso rápido a datos
Memoria Samsung V-NAND TLC y caché dedicada
El SSD integra memoria Samsung V-NAND TLC junto con una caché Samsung 8 GB DDR4X SDRAM, una combinación pensada para mantener un rendimiento estable en transferencias y cargas de trabajo avanzadas.
Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC
Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
Formato compacto M.2 para equipos compatibles
Seguridad, resistencia y diseño compacto
Para proteger los datos, incorpora encriptación AES 256-bit compatible con Class 0, TCG/Opal e IEEE1667. Además, ofrece una resistencia a golpes de 1500G y un diseño ligero de solo 9,5 g.
Encriptación AES 256-bit Encryption
Compatible con Class 0, TCG/Opal e IEEE1667
Resistencia a los golpes: 1500G
Dimensiones: 80,15 x 22.15 x 3,88 mm
Peso: 9,5 g